O Seminario “Silicon Carbide Power Devices – Performance, Robustness and Reliability”, impartirase polo profesor da Universidade de Warwick, Jóse Ortiz González, o próximo 20 de decembro en CINTECX.

O acceso é aberto e gratuito e non precisa inscrición. A presentación será en inglés e galego e o material do seminario será en inglés.

O contido do seminario versará sobre os dispositivo fabricados usando Carburo de Silicio (SiC). Estes dispositivos (MOSFETs e diodos Schottky) son o presente e o futuro da electrónica de potencia e están listos para reemplazar ós dispositivos de silicio (IGBTs, MOSFETs e Diodos PiN) en multitude de aplicacións: automoción, enerxía renovable…
A pesares dos beneficios desta “nova” tecnoloxía, é estudios de fiabilidade e caracterización son fundamentais, desde conmutación ata curtocircuito e fiabilidade do óxido de porta. Estes estudios son unha ferramenta imprescindible para maximizar o seu uso en aplicacións que se benefician as propiedades do carburo de silicio. Os asistentes a este seminario recibiran información que lles axudará a entender as diferencias entre dispositivos de silicio e de carburo de silicio desde o punto de vista do funcionamento e fiabilidade, introducindo o concepto de monitorización (condition monitoring).

Biografía

José Ortiz González naceu en Eimer, na provincia de Lugo. Recibiu a titulación de Enxeñeiro Industrial (Intensificación en Automática e Electrónica) pola Universidade de Vigo en 2009, onde traballo como técnico de apoio á investigación. No ano 2013, mudouse a Coventry donde empezou a traballar como técnico de investigación na Universidade de Warwick, ata acadar o título de Doutor en Enxeñaría en 2017. Desde Agosto de 2019 é profesor asistente na Escola de Enxeñaría da Universidade de Warwick. Jose Ortiz Gonzalez é autor/co-autor de máis de 100 artigos de revista/conferencia